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製品名: | 超音波溶接のトランスデューサー | 周波数: | 20 の kHz |
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出力パワー: | 1800ワット | 共同ボルト: | M18*1.5 |
陶磁器ディスク直径: | 55 MM | 陶磁器ディスクのQty: | 4本 |
キャパシタンス: | 10.5-11.5nf | 広さ: | 10 um |
ハイライト: | 超音波高い発電のトランスデューサー,高周波超音波のトランスデューサー |
55MMの直径の製陶術が付いている1800W 20Khzの超音波溶接のトランスデューサー
記述:
既存の超音波機械は一般に圧電気の陶磁器のトランスデューサーを使用します。圧電気の陶磁器のトランスデューサーは2つの金属の負荷ブロックが付いている圧電気の製陶術を前後挟み、堅くねじによってそれらを接続することによってなされます。典型的なトランスデューサーの出力広さはおよそ10ミクロンです。
圧電気の陶磁器のトランスデューサーに高い変換効率、大量生産、等の利点があります。不利な点は作り出される入力が小さいことです。
指定:
モデル | QR-5520-4BZ |
頻度 | 20khz |
出力電力 | 1800ワット |
共同ボルト | M18*1.5 |
陶磁器ディスク直径 | 55mm |
陶磁器ディスクのQty | 4pcs |
キャパシタンス | 10.5-11.5nf |
広さ | 10 um |
適用 | プラスチック溶接機 |
超音波プラスチック溶接の原則:
超音波が熱可塑性のプラスチック接触表面で機能するとき、毎秒数万時間の高周波振動は発生します。この高周波振動はある特定の広さに達し、超音波エネルギーは上部の溶接物を通して溶接部に溶接部が溶接のインターフェイスに2であるので、健全な抵抗大きいです送信されます、従ってローカル高温は発生します。さらに、時間にプラスチック、それはの悪い熱伝導性が原因で散らすことができないし、2つのプラスチックの接触の表面が急速に溶ける、そしてある特定の圧力、1つに統合されていますようにの後のギャザー溶接部の。従って超音波停止が、圧力最後がそれ凝固するように数秒間するとき溶接の目的のための強い分子鎖を形作って、溶接の強さは原料の強さに近い場合もあります。超音波プラスチック溶接の質はトランスデューサーの溶接頭部、応用圧力および通電時間の広さによって決まります。通電時間および溶接頭部圧力は調節することができます。広さはトランスデューサーおよび角によって定められます。この3つの量の相互作用に適した価値があります。エネルギーが適切な価値を超過するとき、プラスチックの溶ける量は大きく、溶接材料は容易に変形します;エネルギーが小さければ、溶接は容易ではないし、応用圧力は余りに大きくないです。この最適圧力は端の1 1つのmmあたり溶接された部分そして最適圧力の側面の長さのプロダクトです。
55MMの直径の製陶術が付いている1800W 20Khzの超音波溶接のトランスデューサー