|
| MOQ: | 1 pc |
| 価格: | Negotation |
| standard packaging: | 箱に詰め |
| Delivery period: | 3 仕事日 |
| payment method: | トン/ Tは、ウェスタンユニオン |
| Supply Capacity: | ヶ月あたり2000pcs |
2Pcs 25mmの製陶術リングが付いている28Khz 300wの超音波溶接のコンバーター
超音波トランスデューサーの構成:
トランスデューサーはハウジング、一致の層、piezoceramicディスク トランスデューサー、裏付け、抽出ケーブルおよびシンバルの配列の受信機から成っています。圧電気の陶磁器ディスク トランスデューサーは分極の方向分極のPZT-5圧電気材料から成っています。シンバルの配列の受信機は8つから16のシンバルのトランスデューサー、2つの金属リングおよびゴム製ガスケットから成っています。圧電気の陶磁器ディスク トランスデューサーは超音波信号を送受信するために基本的な超音波トランスデューサーとして使用されます;シンバルの配列の受信機はトランスデューサー バンドの外のディスク ドップラー エコー信号を受け取るための超音波受信機としてディスク圧電気のトランスデューサーの上にあります。発明の作動距離は35のmより大きいです、頻度帯域幅は10のkHzに達し、動く長距離ターゲットは高速で検出することができます。
指定:
| モデル | QR-2528-2FZ |
| 頻度 | 28khz |
| 出力電力 | 300ワット |
| 共同ボルト | M8*1 |
| 陶磁器ディスク直径 | 25mm |
| 陶磁器ディスクのQty | 2pcs |
| キャパシタンス | 1.9-2.6nf |
| 広さ | 8 um |
| 適用 | プラスチック溶接機 |
超音波トランスデューサーの実用温度
超音波トランスデューサーは使用されたとき3つの原因によって主に引き起こされる熱を発生させます。1つは工作物によって熱されるか、または超音波によって扱われた材料が、または型（用具の頭部）および角は長い間熱し熱する、この熱はトランスデューサーに移りますことです。第2はトランスデューサーの電源切れ自体です。エネルギー変換効率が100%ではないので、失われるエネルギーは熱に当然変えられます。温度の上昇により超音波トランスデューサー変数は変わります最もよい一致の州に次第に移ります。より深刻である何が温度の上昇により圧電気の陶磁器のウエファーの性能は悪化しますことです。これによりそれから超音波トランスデューサーは悪循環であるより悪い働かせ、もっとすぐに熱します。従って、私達は室温および空冷で超音波トランスデューサーによい冷却状態を、通常与えなければなりません;必要ならば、冷気の冷却はまた使用することができます。通常の状態で、これら二つのポイント引き起こされる温度の上昇はまた正常であり、正常な冷却条件の下に、大きな問題はありません。
2Pcs 25mmの製陶術リングが付いている28Khz 300wの超音波溶接のコンバーター
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| MOQ: | 1 pc |
| 価格: | Negotation |
| standard packaging: | 箱に詰め |
| Delivery period: | 3 仕事日 |
| payment method: | トン/ Tは、ウェスタンユニオン |
| Supply Capacity: | ヶ月あたり2000pcs |
2Pcs 25mmの製陶術リングが付いている28Khz 300wの超音波溶接のコンバーター
超音波トランスデューサーの構成:
トランスデューサーはハウジング、一致の層、piezoceramicディスク トランスデューサー、裏付け、抽出ケーブルおよびシンバルの配列の受信機から成っています。圧電気の陶磁器ディスク トランスデューサーは分極の方向分極のPZT-5圧電気材料から成っています。シンバルの配列の受信機は8つから16のシンバルのトランスデューサー、2つの金属リングおよびゴム製ガスケットから成っています。圧電気の陶磁器ディスク トランスデューサーは超音波信号を送受信するために基本的な超音波トランスデューサーとして使用されます;シンバルの配列の受信機はトランスデューサー バンドの外のディスク ドップラー エコー信号を受け取るための超音波受信機としてディスク圧電気のトランスデューサーの上にあります。発明の作動距離は35のmより大きいです、頻度帯域幅は10のkHzに達し、動く長距離ターゲットは高速で検出することができます。
指定:
| モデル | QR-2528-2FZ |
| 頻度 | 28khz |
| 出力電力 | 300ワット |
| 共同ボルト | M8*1 |
| 陶磁器ディスク直径 | 25mm |
| 陶磁器ディスクのQty | 2pcs |
| キャパシタンス | 1.9-2.6nf |
| 広さ | 8 um |
| 適用 | プラスチック溶接機 |
超音波トランスデューサーの実用温度
超音波トランスデューサーは使用されたとき3つの原因によって主に引き起こされる熱を発生させます。1つは工作物によって熱されるか、または超音波によって扱われた材料が、または型（用具の頭部）および角は長い間熱し熱する、この熱はトランスデューサーに移りますことです。第2はトランスデューサーの電源切れ自体です。エネルギー変換効率が100%ではないので、失われるエネルギーは熱に当然変えられます。温度の上昇により超音波トランスデューサー変数は変わります最もよい一致の州に次第に移ります。より深刻である何が温度の上昇により圧電気の陶磁器のウエファーの性能は悪化しますことです。これによりそれから超音波トランスデューサーは悪循環であるより悪い働かせ、もっとすぐに熱します。従って、私達は室温および空冷で超音波トランスデューサーによい冷却状態を、通常与えなければなりません;必要ならば、冷気の冷却はまた使用することができます。通常の状態で、これら二つのポイント引き起こされる温度の上昇はまた正常であり、正常な冷却条件の下に、大きな問題はありません。
2Pcs 25mmの製陶術リングが付いている28Khz 300wの超音波溶接のコンバーター
