|
| MOQ: | 1 PCS |
| 価格: | Negotation |
| standard packaging: | カートンで詰められる |
| Delivery period: | 3仕事日 |
| payment method: | T/T、ウェスタン・ユニオン |
| Supply Capacity: | 1ヶ月あたりの2000pcs |
2pcs圧電気の製陶術が付いている点のプラスチック溶接工のための28Khz超音波溶接のトランスデューサー
記述:
28Khz超音波溶接のトランスデューサーは良質をの高一貫性の圧電気の製陶術、専門の構造の設計、安定した操作、安定性が高く、高い一貫性、高い負荷テスト、非熱く、高い広さ、低いインピーダンス、安定した波、一定した波の特徴使用する。
超音波さまざまなnon-woven/化学繊維の布の溶接し、切れ、切り開き、そしてプラスチック溶接のような生産で広く利用されている。但し、超音波および高周波主義、適当な原料および適用の違いが原因でまた適当でであって下さい。
指定:
| モデル | QR-3028-2BZ |
| 頻度 | 28khz |
| 出力電力 | 400ワット |
| 共同ボルト | 3/8-24UNF |
| 陶磁器ディスク直径 | 30mm |
| 陶磁器ディスクのQty | 2pcs |
| キャパシタンス | 2.8-3.8nf |
| 広さ | 8 um |
| 適用 | プラスチック溶接機 |
変数:
| 円柱状のタイプNTKのタイプ | ||||||||
|
項目いいえ。
|
ねじを接続しなさい
|
陶磁器dia （mm）
|
陶磁器のQty （PC） |
頻度（khz）
|
キャパシタンス |
力（w）
|
||
| 黄色 | 灰色 | 黒い | ||||||
| 5025-2BZ | M12 X 1 | 50 | 2 | 25 | 5000-5600 | 7000-8000 | 500 | |
| 3828-2BZ | 1/2-20UNF | 38 | 2 | 28 | 3800-4300 | 500 | ||
| 3828-4BZ | 1/2-20UNF | 38 | 4 | 28 | 7600-8500 | 10500-12000 | 800 | |
| 3028-2BZ | 3/8-24UNF | 30 | 2 | 28 | 2700-3100 | 3400-3800 | 400 | |
| 3028-4BZ | M10*1 | 30 | 4 | 28 | 6000-7000 | 700 | ||
| 2528-4FZ | M8 X 1 | 25 | 4 | 28 | 3900-4300 | 400 | ||
| 2528-2FZ | M8 X 1 | 25 | 2 | 28 | 1950-2200年 | 2200-2500 | 300 | |
| 3030-4BZ | M10 | 30 | 4 | 30 | 6200-6900 | 700 | ||
| 3035-2FZ | 3/8-24UNF | 30 | 2 | 35 | 2700-3100 | 500 | ||
| 3035-4BZ | M10 X 1 | 30 | 4 | 35 | 5000-6200 | 800 | ||
| 2535-2FZ | M8 X 1 | 25 | 2 | 35 | 1900-2200年 | 400 | ||
| 2540-2BZ | 3/8-24UNF | 25 | 2 | 40 | 2000-2300年 | 500 | ||
| 3040-4BZ | M10 | 30 | 4 | 40 | 5500-6200 | 1000 | ||
| 3050-4BZ | M8 | 30 | 4 | 50 | 5500-6200 | 600 | ||
| 1560-2BZ | M6 X 0.75 | 15 | 2 | 60 | 700-800 | 100 | ||
超音波トランスデューサーの製造工程:
トランスデューサーは貝、一致の層、圧電気の陶磁器ディスク トランスデューサー、裏付け、鉛ケーブルおよびシンバルの配列の受信機から成っている。圧電気の陶磁器ディスク トランスデューサーは厚さの方向で分極されるPZT-5圧電気材料から成りシンバルの配列の受信機は8つから16のシンバルのトランスデューサー、2つの金属リングおよびゴム製 ガスケットで構成される。
1.熱気銃と乾燥した
2.振動最初に電極
3.製陶術、電極、製陶術
4.裏表紙、ねじ
5.位置
6.アフターバーナー
7.接着剤
8.オーブンを置きなさい
9.テスト機械が付いているテスト
10.詰物継ぎ目
11.詰まる前の再度テスト
2pcs圧電気の製陶術が付いている点のプラスチック溶接工のための28Khz超音波溶接のトランスデューサー
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| MOQ: | 1 PCS |
| 価格: | Negotation |
| standard packaging: | カートンで詰められる |
| Delivery period: | 3仕事日 |
| payment method: | T/T、ウェスタン・ユニオン |
| Supply Capacity: | 1ヶ月あたりの2000pcs |
2pcs圧電気の製陶術が付いている点のプラスチック溶接工のための28Khz超音波溶接のトランスデューサー
記述:
28Khz超音波溶接のトランスデューサーは良質をの高一貫性の圧電気の製陶術、専門の構造の設計、安定した操作、安定性が高く、高い一貫性、高い負荷テスト、非熱く、高い広さ、低いインピーダンス、安定した波、一定した波の特徴使用する。
超音波さまざまなnon-woven/化学繊維の布の溶接し、切れ、切り開き、そしてプラスチック溶接のような生産で広く利用されている。但し、超音波および高周波主義、適当な原料および適用の違いが原因でまた適当でであって下さい。
指定:
| モデル | QR-3028-2BZ |
| 頻度 | 28khz |
| 出力電力 | 400ワット |
| 共同ボルト | 3/8-24UNF |
| 陶磁器ディスク直径 | 30mm |
| 陶磁器ディスクのQty | 2pcs |
| キャパシタンス | 2.8-3.8nf |
| 広さ | 8 um |
| 適用 | プラスチック溶接機 |
変数:
| 円柱状のタイプNTKのタイプ | ||||||||
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項目いいえ。
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ねじを接続しなさい
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陶磁器dia （mm）
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陶磁器のQty （PC） |
頻度（khz）
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キャパシタンス |
力（w）
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| 黄色 | 灰色 | 黒い | ||||||
| 5025-2BZ | M12 X 1 | 50 | 2 | 25 | 5000-5600 | 7000-8000 | 500 | |
| 3828-2BZ | 1/2-20UNF | 38 | 2 | 28 | 3800-4300 | 500 | ||
| 3828-4BZ | 1/2-20UNF | 38 | 4 | 28 | 7600-8500 | 10500-12000 | 800 | |
| 3028-2BZ | 3/8-24UNF | 30 | 2 | 28 | 2700-3100 | 3400-3800 | 400 | |
| 3028-4BZ | M10*1 | 30 | 4 | 28 | 6000-7000 | 700 | ||
| 2528-4FZ | M8 X 1 | 25 | 4 | 28 | 3900-4300 | 400 | ||
| 2528-2FZ | M8 X 1 | 25 | 2 | 28 | 1950-2200年 | 2200-2500 | 300 | |
| 3030-4BZ | M10 | 30 | 4 | 30 | 6200-6900 | 700 | ||
| 3035-2FZ | 3/8-24UNF | 30 | 2 | 35 | 2700-3100 | 500 | ||
| 3035-4BZ | M10 X 1 | 30 | 4 | 35 | 5000-6200 | 800 | ||
| 2535-2FZ | M8 X 1 | 25 | 2 | 35 | 1900-2200年 | 400 | ||
| 2540-2BZ | 3/8-24UNF | 25 | 2 | 40 | 2000-2300年 | 500 | ||
| 3040-4BZ | M10 | 30 | 4 | 40 | 5500-6200 | 1000 | ||
| 3050-4BZ | M8 | 30 | 4 | 50 | 5500-6200 | 600 | ||
| 1560-2BZ | M6 X 0.75 | 15 | 2 | 60 | 700-800 | 100 | ||
超音波トランスデューサーの製造工程:
トランスデューサーは貝、一致の層、圧電気の陶磁器ディスク トランスデューサー、裏付け、鉛ケーブルおよびシンバルの配列の受信機から成っている。圧電気の陶磁器ディスク トランスデューサーは厚さの方向で分極されるPZT-5圧電気材料から成りシンバルの配列の受信機は8つから16のシンバルのトランスデューサー、2つの金属リングおよびゴム製 ガスケットで構成される。
1.熱気銃と乾燥した
2.振動最初に電極
3.製陶術、電極、製陶術
4.裏表紙、ねじ
5.位置
6.アフターバーナー
7.接着剤
8.オーブンを置きなさい
9.テスト機械が付いているテスト
10.詰物継ぎ目
11.詰まる前の再度テスト
2pcs圧電気の製陶術が付いている点のプラスチック溶接工のための28Khz超音波溶接のトランスデューサー
